El efecto Hall, descubierto por E. H. Hall en 1879, consiste en la aparición de una diferencia de potencial transversal en un conductor o semiconductor, por el que circula corriente, cuando hay un campo magnético aplicado en dirección perpendicular a ésta.
El sentido de la tensión obtenida para el caso de un semiconductor, depende del tipo de portadores de corriente mayoritarios, sobre estos actúa una fuerza (Fuerza de Lorentz).
Se produce así una acumulación de cargas en las superficies que dan origen a una tensión tal que la fuerza sobre los portadores equilibra la fuerza debida al campo magnético. Como la dirección de la fuerza depende del tipo de portadores mayoritarios, la tensión de Hall (VH) tiene distinto signo para un material semiconductor tipo P que para uno tipo N.
